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NP90N04MUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
6
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
V GS = 10 V
I D = 45 A
C iss
4
2
0
Pulsed
10000
1000
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 20 V
V GS = 10 V
40
35
V DD = 32 V
12
100
10
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R G = 0 Ω
30
25
20
15
20 V
8V
V GS
9
6
10
3
5
V DS
I D = 90 A
1
0
0
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = 10 V
0V
100
10
10
1
0.1
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18665EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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